三星成绩亮眼,2017年整体DRAM市场供货吃紧

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Trendforce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,今年第一季全球行动式记忆体总营收为35.76亿美元,季减0.9%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌,但随着LPDDR4导入市场后,预计能衍生出更多商机,而搭载3GB LPDDR4的三星Galaxy S6出货也比预期中更佳,加上iPhone新机将搭载2GB的预期心态下,即便价格趋势向下但跌幅也非常有限。

据集邦咨询,2017年第一季度的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看,由于去年第四季严重供不应求,多数PC-OEM厂商选择提早在去年12月洽谈第一季的合约价以确保供货稳定,使得第一季合约价再度上涨超过三成,亦带动其他内存类别同步上扬,如服务器内存在第一季的价格上扬也相当可观,行动式内存价格也有近一成的涨幅。

来自台湾经济日报的消息,金士顿董事长陈建华在出席群联公司竹南三厂上梁典礼时,针对DRAM市场作出了最新分析。他强调目前主要的DRAM大厂都没有增产计划,而且产能转向3D NAND闪存,导致DRAM内存短缺。

根据集邦咨询半导体研究中心调查显示,去年下半年智能手机的新机发布并未如预期带来换机效应,因此自去年第四季中开始,市场提早进入传统淡季。品牌厂在历经3个月的库存水位调节后,于今年二月底才见市场需求转旺,并重启拉货动能,其中又以旗舰新机需求的大容量内存居多。

目前行动式记忆体占整体DRAM供应已接近4成,随着下半年传统旺季的到来,全球DRAM供应商获利能否继续成长,将取决于LPDDR4的转进与先进制程的切换速度而定。

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除了DRAM供需失衡之外,PCB印刷材料也缺货了,导致内存模组供应受到牵连,DRAM供货问题更加严重。

整体而言,第一季受到智能手机市场回温、新机发表,以及行动式内存平均单价上涨的影响,全球行动式内存产值来到84.35亿美元,较去年第四季提升约5.3%,一反以往第一季营收衰退的轨迹,再度刷新历史记录。

从各厂商来看,第一季三星半导体在行动式记忆体营收18.6亿美元,季增11.9%,主要受惠价格稳定及产出增加。DRAMeXchange指出,从第一季价格表现看来,标准型记忆体的获利快速缩减,使得行动式记忆体的获利率以长远看来相对具吸引力,因此三星正积极量产20nm及23nm行动式记忆体,在LPDDR4也是进度最快的厂商,目前已有6Gb/8Gb的产品率先问市,获利能力持续提升。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,第一季DRAM总体营收较上季大幅成长约13.4%。从市场面来观察,原厂产能增加的效应最快在2017年下半年浮现,但仅是满足下半年智能手机与PC出货的内存需求。放眼第二季,行动式内存的需求增长动能虽然稍做停歇,但服务器内存的需求依然强劲,仍让标准型内存与服务器内存价格在第二季上扬超过10%。

DRAMeXchange最新研究显示,2016年第四季NAND Flash缺货达全年高峰,在终端需求出货畅旺、平均销售价格普遍上涨的情况下,即使前一季营收基期已高,第四季NAND Flash营收仍旧上涨17.8%,六大存储厂商的获利能力也达到全年的顶峰。

展望第二季行动式内存产值表现,尽管合约价格涨幅趋缓,但受惠中国四大品牌华为、小米、OPPO、vivo的需求持续看旺,以及Android阵营、苹果阵营旗舰新机主流搭载容量上升的影响,预估第二季行动式内存总产值仍有机会较第一季成长。

SK海力士则受到淡季效应影响,第一季行动式记忆体营收大幅下降,季减18.7%。DRAMeXchange指出,SK海力士在LPDDR4的进度落后情况下,短期内受惠于新iPhone使用2GB LPDDR4效应会少很多。美光半导体第一季行动式记忆体营收8.1亿美元,季减3.6%,主因来自于iPhone 6出货潮已过,并且受到三星持续扩大对苹果供给比例的影响。

从营收角度来观察,三星依然稳坐DRAM产业的龙头,由于去年第四季营收基期已高,加上第一季的位元成长相对有限,使得营收成长仅6.8%,但营收金额已经来到63亿美元,远超过SK海力士的40亿美元。而SK海力士表现亦不俗,第一季营收成长21.5%,两大韩厂的市占率分别为44.8%以及28.7%,合计二家韩国厂商已经囊括73.5%的市占率,美光集团位居第三,营收季增22.3%,市占率为21%。

这一波涨价的主要推手是三星,目前三星70%的产能已经被苹果、三星自己以及大陆的OPPO、Vivo公司包下,能供应给其他公司的产能有限,三星还把产能转向3D NAND闪存。其他DRAM公司虽然也跟进升级,但制程良率都没有三星顺利,使得三星有能力主导价格提升,弥补Note 7爆炸导致的巨额损失。

DRAMeXchange指出,以个别供货商的营收表现来看,三星作为全球第一大的DRAM供货商,最先受到中国发改委的关注,第一季及第二季的报价都因而较过去几季收敛。行动式内存报价上的受限让三星另谋出路,透过积极营销大容量内存并且结合自家先进纳米制程技术,成功取得多数的大容量订单,交出第一季营收47.66亿美元的亮眼成绩,鳌占市场龙头宝座。制程进度上,三星的行动式内存几乎已全采18nm制程,仅少数LPDDR3 eMCP组合还有微量供应20nm产品。

在台系DRAM厂方面,DRAMeXchange指出,南亚科第一季行动式记忆体营收0.5亿美元,季减21.6%,主要系客户端拉货紧缩及行动式记忆体投片减少。DRAMeXchange认为,南亚科市占比重虽小,但后续对于行动式记忆体的发展仍相当积极,30nm微缩制程将于今年下半年导入,新产品LPDDR3则有望下半年开始量产,拉近与一线大厂的距离。

三大厂第一季营业获利率再飙升,预期第二季将持续走扬

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,由于DRAM供给端的寡占型态已经成熟,且制程在转进20纳米后,位元成长有限,观察三大厂商短期内没有新增产能的计画,新制程转进进度也有放缓的趋势,预估供货将持续吃紧。

SK海力士虽受惠第一季合约价格的上扬,但在新制程18nm初期良率不稳、产能不足的影响下,无法扩大旗舰机种用LPDDR4系列大容量DRAM的交付数量,第一季营收仅季增2.2%。在行动内存的产品规划方面,目前SK海士力仍以21nm的LPDDR4系列以及25nm微缩制程的LPDDR3供给为主,预估18nm产品要到第三季才会普及,全年新制程渗透率恐低于10%。

华邦电第一季行动式记忆体营收季增7%,成长主因来自于产品组合的调整与先进制程的持续转进。DRAMeXchange表示,目前华邦电仍持续往46nm制程迈进,第一季投片已经来到44K满载水位;新工厂可望于今年动工,但后续购入多少机台需看市场状况而定。

受到价格持续大涨,三星第一季营业获利率提升至54%最高,SK海力士由36%上升至47%,而美光则是从14.9%变成32.5%。展望今年第二季,由于DRAM价格上涨并未停歇,各家获利仍将进一步的提升。

以需求端而言,2017年不论是个人电脑、伺服器或智慧型手机端,需求位元成长主要还是来自单机搭载存储容量需求的提升。以智慧型手机为例,由于LPDDR4正式成为市场供货主流,中高阶智慧型手机的行动式存储搭载逐渐以4GB为「标准配备」,甚至8GB机种也有望问世,将持续带动需求攀升。

美光集团第一季行动式内存营收达14.08亿美元,较上一季成长10.2%,成长幅度居三大主流供货商之冠,主要归功于整体需求不减、价格上扬。在行动式内存制程技术方面,台湾美光内存第二季产品规划仍以提高17nm制程比重为主,而在台湾美光晶圆科技目前仍以20nm为主。其行动式内存产品规划也改以LPDDR4系列为主流产品,预估全年占比将过半。

观察各厂技术发展进程,三星今年的目标仍专注于18nm制程的转进,除了维持稳定领先竞争对手外,满足客户需求也是主因;除了Line17外,目前也将在Line15转进18nm制程,目标年底能有40%以上都是最先进制程的产出。

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台系厂商部分,南亚科受惠IDH厂因成本考虑改采分离式取代eMCP,带动LPDDR3 4Gb出货增加,营收达9,600万美元,较上一季成长19.1%。其行动式内存制程技术目前仍以30nm微缩制程为主,未来南亚科将持续提高20nm占比,以增加获利空间。

今年SK海力士目标还是着重于21nm的良率提升并扩大该制程占比,18nm制程将于今年下半年开始试产,并希望于明年上半年大幅提升量产规模。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示,观察2017年第一季,供给方面因转进3D-NAND Flash制程造成供货减少,使得各项合约价格持续上扬,但在终端需求方面较2016年第四季减少,预期NAND Flash品牌厂营收仍将持续成长,增幅稍微趋缓,而以全年度NAND Flash供应预期都将吃紧的情况来看,2017年NAND Flash厂商的营收仍可望逐季增加。

华邦第一季由于产品应用范围较小,需求起伏不大,第一季营收为4,400万美元,较上一季成长1.2%,表现平稳。

在美光方面,台湾美光内存已在年初将17nm制程导入量产阶段,希望年底大部分产能都能转进至新制程,台湾美光晶圆科技(原华亚科)暂无计划转进更先进制程,今年目标首重20nm制程良率的持续提升。

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台系厂商部分,南亚科也受惠于第一季利基型内存价格的持续上涨,今年第一季营收较去年第四季成长3.6%;同时,该公司20nm首批良率预优于期,正积极往年底每月30K的投片目标迈进。

全年整体DRAM市场供货吃紧

华邦营收小幅衰退5.5%,主要是受到调整产品类别的影响,如第一季NOR内存需求大增,排挤部分DRAM的投片,华邦除了持续提升46nm比重外,预估38nm制程今年第三季将正式量产,产出的提升将反映在后续的营收表现上。

台湾南亚科总经理李培瑛表示,今年整体DRAM市场供货吃紧,上半年平均销售单价持续走扬,预期第一季平均销售单价季增10~15%,公司的毛利率相较上季可望有显著的提升,第二季价格也将续扬,下半年仍看审慎乐观,预期价格波动不大。

力晶科技方面,DRAM方面营收成长7.6%,主因是DRAM价格大好,客户投片回笼,加上代工价格随DRAM价格上涨而水涨船高,都让营收表现十分亮眼。

南亚科指出,今年DRAM在供给方面,前三大厂皆以提高新制程比例增加产出为主,并未大幅扩张新产能。 预期2017年供给年成长约20%。 在需求方面,预期2017年DRAM需求成长稳定,成长主力来自手机及服务器的搭载量增加,预估整体年增率高于22%。

因此,今年DRAM市场将呈现供给吃紧,各类DRAM库存也皆处于低水位。

从平均销售单价走势(ASP)来看,南亚科预期,第一季价格走扬,预估涨幅10%~15%,与去年第四季涨幅相当;今年第二季价格可望持续上扬,涨幅可能比第一季稍缓;下半年目前维持审慎乐观。 若以目前三大供货商对今年的资本支出来看,南亚科预期第三季价格起伏不大,有机会续涨,第四季即使有季节性因素,波动也不大。

至于今年需求端的正面因素包括,中高端智能手机以高分辨率为主流,加上双镜头功能,增加主存储器容量至4~6GB,旗舰机上看8GB,持续推动DRAM需求成长。 在服务器市场方面,需求持续强劲。 高阶笔电新机标配从8GB起跳、2-in-1超薄笔记本及电竞机型需求逆势成长。 此外,4K TV渗透率已逾3成。 机顶盒及相关网络产品、网络相机(IP CAM)、智能手表、车用及工业用相关需求热络,皆有利推升DRAM搭载量。

三星电子

受惠于高容量eMMC与UFS需求和固态硬盘表现强劲,去年第四季三星NAND Flash除了位元出货量季成长11~15%外,平均销售单价也成长逾5%,NAND Flash营收季成长近20%。

三星在高容量eMMC/UFS及固态硬盘上市场份额领先,因此受惠价格上涨的程度更为显著,而48层堆栈的3D-NAND Flash已顺利导入全系列固态硬盘产品线。

三星Line16厂持续转进3D-NAND Flash,Line17与平泽厂的新产能贡献将从第二季后将开始提升,因此预估2017第一季位元出货量将季衰退4~9%,位元成长须待至第二季后才会显著提高。

SK海力士

SK 海力士降低固态硬盘端供货比重以应对中国大陆品牌智能手机eMCP需求,去年第四季位元出货量微幅下滑3%,但平均销售单价则扬升14%,营收季成长9%至11.56亿美元。

2017年第一季SK 海力士面临转进3D-NAND Flash及第一季智能手机出货减少等因素,预估位元出货量将季衰退约0~5%,但在NAND Flash依旧吃紧的态势下,平均销售单价仍可望续扬。

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在3D-NAND Flash的进度上,第一季SK 海力士3D-NAND Flash位出货占比为10%,预期在48层堆栈与下半年将推出的72层堆栈3D-NAND Flash带动下,年底前3D-NAND Flash的产出比重将超越50%。

东芝电子

东芝电子64层堆栈的3D-NAND Flash产品相关对应的产品下半年将放量生产,现阶段在良率尚未显著提升之际,48层堆栈的3D-NAND Flash成为上半年营运的重点,而目前东芝3D-NAND Flash的产出比重较低,但年底维持超过产出的50%计划不变。

西数

在位元出货量与平均销售单价均上涨的情况下,西数2017会计年度第二季的NAND Flash营收大幅季成长约20%。全系列固态硬盘产品线表现强劲,显现在合并闪迪的综效已开始显现。

从产品面看,西数的64层堆栈3D-NAND Flash已经在自家Retail产品开始出货,OEM产品的认证过程也会在本季开始进行,预计整体3D-NAND Flash的产出比重在2017年底前将超过50%。

美光

受惠于整体NAND Flash市况供货吃紧与需求强劲,美光2017会计年度第一季位元出货量大幅季成长26%,NAND Flash营收也大幅季成长27%,至12.72亿美元。在营收的产品分配上,因移动终端与车用电子需求增加, 零部件颗粒销售比重降至40%,移动终端需求上升至23%,固态硬盘也微幅增加至15%,车用与其他工控类则是上升至20%。

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产品规划方面,美光3D-NAND Flash的产出比重已超越50%,是除三星外唯一产出比重超过50%的厂商,同时,美光下个世代的64层堆栈3D-NAND Flash也预计在今年下半量产,原有的2D-NAND Flash产品占比将下滑至10%左右,仅满足原有利基型的应用。

英特尔

受惠于企业级固态硬盘的强劲需求,让英特尔2016年第四季位元出货量季成长25%以上,整体NAND Flash营收也季成长25%,至8.16亿美元。产品规划方面,英特尔20纳米与25纳米旧制程的产品减少,16纳米与3D-NAND Flash(MLC架构)的企业级固态硬盘销售比重则逐步放大,有助让价格更具竞争力,也有助成本下降与利润增加,另外,3D-NAND Flash (TLC架构)的产品也开始放量生产。

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